金年会|金年会官方网站

中文 EN
首页
关于我们
新品发布
用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT
用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT 返回
新产品宣告

产品介绍 金年会近日推出了新一代 TO-247PLUS 封装 160A 650V IGBT单管,产品采用1.6um微沟槽工艺平台,大大提高功率密度,具有较低的导通损耗及开关损耗,为光伏储能行业提供大功率单管解决方案。
产品特点 1. 采用1.6um微沟槽工艺平台;
2. 电压等级为650V,电流等级为160A@Tc=100℃ ;
3. 低导通损耗,低开关损耗;
4. 配置有软度极佳的反并联快恢复二极管
规格书

DGQ160N65CTS2A

相关新品

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

YBS2G海鸥脚贴片整流桥

SOD-123HE 二极管

应用于汽车PTC的80A/1200V IGBT单管

LowVcesat 3A双极晶体管新产品发布

GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品

用于工业的TOLL N100V MOSFETs

高结温超快恢复二极管

SOD-123FL封装功率ESD

用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验,相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示,便表示您已接受我们网站的使用条款。